2017.04.28
ㆍ비반사식 50Ω 설계ㆍ낮은 삽입 손실: 2.0dB~30GHzㆍ뛰어난 절연 성능: 60dB~30GHzㆍ높은 입력 선형성ㆍ1dB 전력 컴프레션(P1dB): 28dBm(typ)ㆍ3차 교차점(IP3): 52dBm(typ)
2017.03.29
ㆍ낮은 오프셋 전압: 최대 5μVㆍ아주 낮은 오프셋 전압 드리프트: 최대 22nV/°Cㆍ낮은 전압 잡음 밀도:ㆍ5.8nV/√Hz(typ)ㆍ0.1Hz~10Hz에서 117nV p-p(typ)ㆍ낮은 입력 바이어스 전류: 50pA(typ)
ㆍ낮은 입력 바이어스 전류ㆍTA = 25°C에서 최대 ±20fA(생산 검정 단계에서 보증 완료)ㆍ-40°C < TA < +85°C에서 최대 ±20fAㆍ-40°C < TA < +125°C에서 최대 ±250fA(생산 검정 보증 완료)ㆍ낮은 오프셋 전압: 지정된 CMRR 범위 내에서 최대 50μVㆍ오프셋 드리프트: 0.13μV/°C(typ), 0.5μV/°C(최대)ㆍ최대 오프셋이 100μV인 통합 가드 버퍼(guard buffer)
ㆍ4mm×4mm WLCSP 패키지ㆍ1.8V 논리 호환성ㆍ온도 범위: ?40°C~+105°Cㆍ채널 모니터링 멀티플렉서
ㆍINL: 최대 ±1.0LSB(±3.8ppm)ㆍ보증된 18비트, 무손실 코드(no missing code) 성능ㆍ저전력 - 2MSPS에서 9.5mW(VDD만) - 10kSPS에서 80μW, 2MSPS에서 16mW(전체)ㆍSNR: 1kHz에서 100.5dB(typ), 100kHz에서 99dB(typ)