2020.11.17
▶Silent Switcher®2 아키텍처 : 초저 EMI 방출 (LTC3310S 및 LTC3310S-1)▶고효율 : 4.5mΩ NMOS 및 16mΩ PMOS▶광범위한 대역폭, 빠른 과도 응답▶과부하시 인덕터 포화도 안전하게 허용▶VIN 범위 : 2.25V ~ 5.5V▶VOUT 범위 : 0.5V ~ VIN▶VOUT 정확도 : 원격 감지시 ± 1 %▶피크 전류 모드 제어▶35ns 최소 온 타임▶5MHz까지 프로그래밍 가능한 주파수▶셧다운 전류 : 1μA▶정밀 400mV 활성화 임계 값▶전압 추적 기능이있는 출력 소프트 스타트▶전력 양호 출력▶다이 온도 모니터▶병렬 전원 단계에 대해 구성 가능▶열강화 3mm × 3mm LQFN 패키지▶자동차 애플리케이션에 대한 AEC-Q100 인증
2020.09.25
▶넓은 입력 전압 범위 : 2.75V ~ 18V▶바이어스 입력 전압 범위 : 4.5V ~ 18V▶최대 150 ° C 접합 온도에서 작동▶-0.62 % ~ + 0.69 % 피드백 전압 정확도 (?40 ° C ~ + 125 ° C 접합 온도)▶채널 1 및 채널 2 : 7A 동기식 벅 레귤레이터 (9.4A 최소 밸리 전류 제한)▶채널 1 및 채널 2 : 병렬 작동시 14A 출력▶채널 3 : 3A 동기식 벅 레귤레이터 (4.2A 최소 밸리 전류 제한)▶250kHz ~ 2500kHz 조정 가능한 스위칭 주파수▶빠른 부하 과도 응답을위한 외부 보상▶0.615V의 정확한 기준 전압을 가진 정밀 활성화 핀▶프로그래밍 가능한 전원 켜기 및 끄기 시퀀스▶선택적 FPWM / PSM 모드 선택▶주파수 동기화 입력 또는 출력▶3 개 채널에 대한 전원 양호 플래그▶활성 출력 방전 스위치▶UVLO, 과전류 보호 및 TSD 보호▶43 단자, 5mm × 5.5mm LGA 패키지
2020.09.23
고유 한 아키텍처로 입력 전압, 출력 전압 또는 전류의 동적 조정 가능▶외부 게이트 드라이버 및 MOSFET으로 작동▶V HIGH 전압 최대 100V; V LOW 전압 최대 60V▶동기식 정류 : 최대 98 % 효율▶ADI 독점 고급 전류 모드 제어▶± 1 % 전압 조정 정확도 과열▶정확하고 프로그래밍 가능한 인덕터 전류 모니터링 및 양방향 조정▶SPI 호환 직렬 인터페이스 ▷작동 상태 및 오류 보고서 ▷프로그래밍 가능 V HIGH , V LOW 마진▶위상 잠금 가능 주파수 : 60kHz ~ 750kHz▶옵션 확산 스펙트럼 변조▶다상 / 다중 IC 작동 최대 24 상▶선택 가능한 CCM / DCM / 버스트 모드 작동▶열 성능이 향상된 64 리드 LQFP 패키지▶AEC-Q100 인증 진행 중
▶고효율 동기식 작동 ▷30mA, 12VIN ~ 3.3V OUT 에서 90 % 이상의 효율▶초저 대기 전류 버스트 모드 ® 작동 ▷< 2.5μA I Q 레귤레이션 48VIN ~ 3.3V OUT ▷출력 리플 <10mV P-P▶3.4V ~ 60V 입력 작동 범위 (최대 65V)▶빠른 최소 스위치 온 시간 : 35ns▶조정 가능한 스위칭 주파수 : 200kHz ~ 2.2MHz▶3.3V 출력 전압 고정 버전▶초소형 인덕터 허용▶정확한 1V 활성화 핀 임계 값▶내부 보상▶출력 소프트 스타트 및 추적▶소형 10 리드 3mm × 2mm DFN▶AEC-Q100 인증 진행 중
2020.02.27
▶듀얼 벅 플러스 단일 부스트 동기식 컨트롤러▶낮은 작동 IQ : 14μA (14V ~ 3.3V, 채널 1 켜짐)▶1V 입력 공급 전압까지 콜드 크랭크를 통해 출력이 레귤레이션 상태로 유지됨▶넓은 바이어스 입력 전압 범위 : 4.5V ~ 40V▶최대 40V의 벅 및 부스트 출력 전압▶확산 스펙트럼 작동▶RSENSE 또는 DCR 전류 감지▶부스트 동기 MOSFET을위한 100 % 듀티 사이클▶프로그래밍 가능한 고정 주파수 (100kHz ~ 3MHz)▶위상 잠금 가능 주파수 (100kHz ~ 3MHz)▶경부 하에서 선택 가능한 연속, 펄스 스키핑 또는 저 리플 버스트 모드 작동▶부스트 채널 전류 모니터 출력▶낮은 셧다운 IQ : 1.5μA▶소형 40 리드 6mm × 6mm QFN 패키지