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[ADRF5020] 100MHz~30GHz, 실리콘 SPDT 스위치

2017.04.28

ㆍ비반사식 50Ω 설계
ㆍ낮은 삽입 손실: 2.0dB~30GHz
ㆍ뛰어난 절연 성능: 60dB~30GHz
ㆍ높은 입력 선형성
ㆍ1dB 전력 컴프레션(P1dB): 28dBm(typ)
ㆍ3차 교차점(IP3): 52dBm(typ)

[HMC7950] 2GHz~28GHz, GaAs pHEMT MMIC 저잡음 증폭기

2017.03.29

ㆍ1dB 압축시 출력 전력(P1dB): 16dBm(typ)
ㆍ포화 출력 전력(PSAT): 19.5dBm(typ)
ㆍ이득: 15dB(typ)
ㆍ잡음 지수: 2.0dB(typ)

[HMC7748] 2GHz~6GHz, 25W 전력 증폭기 모듈

2017.03.29

ㆍ58dB 소신호 이득(typ)
ㆍ43dBm 포화 출력 전력(typ)
ㆍ48dBm 출력 IP3(typ)
ㆍ6dB 최대 잡음 지수

[HMC7885] 2GHz~6GHz, 45dBm 전력 증폭기 모듈

2017.03.29

ㆍ21dB 소신호 이득(typ)
ㆍ18리드, 밀봉형 모듈
ㆍ-30°C~+60°C의 작동 온도

[HMC8500] 10W, 0.01GHz~2.8GHz, GaN 전력 증폭기

2017.03.29

ㆍ높은 소신호 이득: 16.0dB
ㆍ높은 PAE: 55%(typ)
ㆍ순간 대역폭: 0.01GHz~2.8GHz