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[ADL8103] 높은 입력 생존율, 저잡음 증폭기, 6GHz ~ 12GHz

2024.11.08

▶높은 입력 전력 생존율: 6GHz ~ 12GHz에서 34dBm
▶단일 양극 공급: 5V/100mA 공칭
▶RBIAS 드레인 전류 조정 핀
▶빠른 오버드라이브 복구: 32dBm에서 25ns
▶이득: 일반적으로 8GHz에서 10GHz까지 25dB
▶OIP3: 일반적으로 8GHz에서 10GHz까지 32.1dBm
▶소음 수치: 8GHz ~ 10GHz에서 일반적으로 1.7dB
▶확장된 작동 온도 범위: -55°C ~ +125°C
▶RoHS 호환, 2mm × 2mm, 8-리드 LFCSP
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[ADPA1116] 0.3GHz ~ 6GHz, 39.5dBm, GaN 전력 증폭기

2024.10.02

▶내부 정합, 0.3GHz ~ 6GHz, 39.5dBm, GaN 전력 증폭기
▶RF 입력 및 RF 출력 AC 결합
▶통합 드레인 바이어스 인덕터
▶출력 전력: 일반적으로 0.5GHz ~ 5GHz (PIN = 16.0dBm)
▶전력 이득: 일반적으로 0.5GHz ~ 5GHz (PIN = 16.0dBm)
▶PAE: 0.5 GHz ~ 5 GHz의 40%(PIN = 16.0 dBm)
▶작은 신호 이득: 33.5dB(일반적으로 0.5GHz ~ 5GHz)
▶전원전압: 28V
▶대기 전류: 300mA
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[ADL8120] 30kHz~20GHz, 초광대역, 저잡음 증폭기

2024.08.09

▶단일 양전원 (자체 바이어스)
▶저항기 프로그래머블 바이어스 설정
▶광대역 작동: 30 kHz에서 20 GHz
▶확장된 작동 온도 범위: ?55°C에서 +125°C
▶RoHS 준수, 2 mm × 2 mm, 8-리드 LFCSP
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[ADPA1113] 2GHz ~ 6GHz, 46dBm(40W), GaN 전력 증폭기

2024.06.03

▶내부 일치 및 AC 결합, 40W, GaN 전력 증폭기
▶통합 드레인 바이어스 인덕터
▶POUT: 46.5 dBm typical from 2.0 GHz to 5.7 GHz (PIN = 21 dBm)
▶작은 신호 이득: 일반적으로 2.3 GHz ~ 5.7 GHz에서 40.5 dB
▶전력 이득: 25.5dB(일반적으로 2.0GHz ~ 5.7GHz)(PIN = 21dBm)
▶PAE: 2.3 GHz ~ 5.7 GHz의 39% 일반적인 값
▶VDD = 28 V at IDQ = 750 mA
▶구리-몰리브덴 베이스의 14-리드 세라믹 리드 칩 캐리어 [LDCC]
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[ADH499S] 항공우주용 GaAs PHEMT, 중출력 증폭기 21에서 32 GHz, LSH6 패키지

2024.04.15

▶이득: 17dB
▶잡음 지수: 5.0dB
▶OIP3: +34dBm
▶P1dB: +23dBm
▶DC 블록 RF I/Os
▶게이트 제어
▶50 옴 매치된 입력/출력

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