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[HMC7885] 2 GHz ~ 6 GHz, 32 W GaN 전력 증폭기

2017.12.28

▶포화 RF 출력 전력 (POUT) : 45dBm
▶작은 신호 이득 : 21dB
▶18 리드 , 완전 밀폐형 모듈
▶?30°C ~ +60°C 동작 온도
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[HMC8205] 광대역 , 0.3 GHz ~ 6 GHz , 35 W GaN 전력 증폭기

2017.12.28

▶높은 PSAT : 46dBm
▶높은 전력 이득 : 20dB
▶높은 PAE : 38%
▶공급 전압 : VDD = 1,300mA 에서 50V
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[AD8205] 35W GaN 전력 증폭기; 0.3GHz~6GHz

2017.06.21

ㆍ높은 PSAT: 45.5dBmHigh
ㆍ높은 소신호 이득: 26dB
ㆍ높은 전력 부가 효율(PAE): 44%
ㆍ순시대역폭: 300MHz~6GHz
ㆍ공급 전압 VDD = 1300mA에서 50V
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[ADA4522-1] EMI가 향상된 싱글 55V, 제로 드리프트, 초저잡음, 레일-투-레일 출력의 연산 증폭기

2017.03.29

ㆍ낮은 오프셋 전압: 최대 5μV
ㆍ아주 낮은 오프셋 전압 드리프트: 최대 22nV/°C
ㆍ낮은 전압 잡음 밀도:
ㆍ5.8nV/√Hz(typ)
ㆍ0.1Hz~10Hz에서 117nV p-p(typ)
ㆍ낮은 입력 바이어스 전류: 50pA(typ)
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[ADA4530-1] 펨토암페어 입력 바이어스 전류 전위계 증폭기

2017.03.29

ㆍ낮은 입력 바이어스 전류
ㆍTA = 25°C에서 최대 ±20fA(생산 검정 단계에서 보증 완료)
ㆍ-40°C < TA < +85°C에서 최대 ±20fA
ㆍ-40°C < TA < +125°C에서 최대 ±250fA(생산 검정 보증 완료)
ㆍ낮은 오프셋 전압: 지정된 CMRR 범위 내에서 최대 50μV
ㆍ오프셋 드리프트: 0.13μV/°C(typ), 0.5μV/°C(최대)
ㆍ최대 오프셋이 100μV인 통합 가드 버퍼(guard buffer)

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