▶강력한 보호 기능으로 시스템 다운타임 감소
>넓은 입력 공급 범위: +3V ~ +80V(역전류 보호 없음)
>넓은 입력 공급 범위: +3V ~ +75V(역전류 보호 기능 포함)
>전체 온도 범위에서 3A에서 7A 사이의 ±3% 정확한 프로그래밍 가능 전류 제한
>전체 온도 범위에서 2A에서 3A 사이의 ±4% 정확한 프로그래밍 가능 전류 제한
>전체 온도 범위에서 0.7A에서 2A 사이의 ±7% 정확한 프로그래밍 가능 전류 제한
>입력 전압 역극성 보호(외부 nFET 포함)
>빠른 100ns 응답 시간을 제공하는 듀얼 스테이지 역전류 보호(외부 nFET 포함)
>낮은 RON 내부 nFET(20M ω 유형)
>출력-전압 역극성 허용
>지상 보호 기능 상실
>200% 단기 과부하 기능
>프로그래밍 가능 과전압 서지 보호(MAX17616A)
>PM 버스 인터페이스
>실시간 작동 상태 모니터링, 전압 및 전류 판독
>장애 레지스트리 액세스 및 관리
>장치 켜기/끄기 제어
>전류 제한 모드 선택
>스타트업 돌입 전류 제한 선택
>현재 한도 및 시간 선택에 대한 단기적
▶재사용을 극대화하고 재자격을 최소화하는 유연한 설계
>조절 가능한 UVLO 및 OVLO/OVFB 임계값
>±2% 정확한 대역폭 전류 모니터링 판독값, IMON(3A ~ 7A, 최대 +85 ºC)
>프로그래밍 가능한 스타트업 돌입 전류 제한
>프로그래밍 가능 전류 제한 고장 응답: 연속, 자동 시도 및 래치 오프 모드
>로직 레벨 활성화 입력(EN)
>보호된 외부 n형 전계 효과 트랜지스터(nFET) 게이트 드라이브
>전력 양호 출력(PGOOD)
>전압 감지 시 프로그래밍 가능 출력(OUTUV)
>접합부 온도 모니터링(TJ)
>열 폴드백 전류 제한
>솔루션 설치 공간 감소
>4.5mm x 5.75mm, 23-Pin FCQFN package
>일반적인 사용자 보호 요구 사항을 위한 통합 nFET
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