▶GaN FET에 완전히 최적화된 GaN 드라이브 기술
▶최대 100V 출력 전압
▶와이드 VIN 범위: 4V ~ 60V, 시동 후 1V까지 작동
▶ 캐치, 클램프 또는 부트스트랩 다이오드 필요 없음
▶내부 스마트 부트스트랩 스위치로 하이사이드 운전자 공급 과다 청구 방지
▶resistor 조절 가능한 데드 타임
▶조정 가능한 운전자 전원 켜기 및 끄기를 위한 split 출력 게이트 드라이버
▶정확한 조절 가능한 운전자 전압 및 UVLO
▶낮은 작동 IQ: 15μA
▶프로그래밍 가능 주파수(100kHz~3MHz)
▶동기화 가능한 주파수(100kHz~3MHz)
▶스펙트럼 주파수 변조 확산
▶28-리드(4mm × 5mm), 측면 습윤 테이블, QFN 패키지
▶자동차 애플리케이션에 적합한 AEC-Q100