ㆍ비반사식 50Ω 설계 ㆍ낮은 삽입 손실: 2.0dB~30GHz ㆍ뛰어난 절연 성능: 60dB~30GHz ㆍ높은 입력 선형성 ㆍ1dB 전력 컴프레션(P1dB): 28dBm(typ) ㆍ3차 교차점(IP3): 52dBm(typ)
셀룰러/4G 인프라, 무선 인프라, 군사용 및 고신뢰성 애플리케이션, 테스트 장비, 핀 다이오드 대체
셀룰러/4G 인프라, 무선 인프라, 군사용 및 고신뢰성 어플리케이션, 테스트 장비, 핀 다이오드 대체
테스트 계측기, 마이크로파 무선 및 VSAT(Very Small Aperture Terminal), 군사용 무선, 레이더, ECM(Electronic Counter Measure), 광대역 통신 시스템
*데이터 시트: http://www.analog.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/HMC8401.pdf?ADICID=EMAL_AP-KR_P263_MIXRF-NL-PN_62&ECID=2778DF65-BF22-E611-80DF-5065F38B0191&5462
*데이터 시트: http://www.analog.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/HMC8400.pdf?ADICID=EMAL_AP-KR_P263_MIXRF-NL-PN_62&ECID=2778DF65-BF22-E611-80DF-5065F38B0191&5462
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