▶ 2방향 RF 스플리터 결합기 ▶주파수 범위 : 10GHz~40GHz ▶ insertion손실 (3dB excess) : >?1 dB from 10 GHz to 18 GHz >?1.1 dB from 18 GHz to 27 GHz ▶반품손실(포트 S1): >?15 dB from 10 GHz to 18 GHz >?12 dB from 18 GHz to 27 GHz ▶ isolation: >?20 dB at 10 GHz to 18 GHz >?23 dB from 18 GHz to 27 GHz ▶ 1.460mm × 1.460mm × 0.500mm, 웨이퍼 레벨 칩 스케일 패키지(WLCSP)
▶이득: 17dB ▶잡음 지수: 5.0dB ▶OIP3: +34dBm ▶P1dB: +23dBm ▶DC 블록 RF I/Os ▶게이트 제어 ▶50 옴 매치된 입력/출력
▶I2C를 통해 10V/V에서 200V/V(8단계)까지 프로그래밍 가능한 게인 옵션 ▶REF1 = REF2 = VDD/2에 대한 ±1μV(타입) 입력 오프셋 전압 ▶REF1 = VDD 및 REF2에 대한 ±5μV(타입) 입력 오프셋 전압 = 게인 시 GND = 20V/V ▶±0.01% (타입) 이득 오차 ▶-5V ~ +70V 입력 전압 범위 ▶-6V ~ +80V 보호 면역 ▶70kHz, 이득 시 -3dB 대역폭 = 20V/V ▶145dB DC CMRR ▶레일-투-레일 출력 ▶3mm x 3mm, TDFN-10 Package ▶-40°C ~ +125°C 온도 범위
▶높은 RF 입력 전력 생존율: 32dBm ▶통합형 AC 커플링 커패시터 및 바이어스 인덕터 ▶단일 양극 공급 장치: IDQ가 있는 5V = 175mA ▶RBIAS 드레인 전류 조정 핀 ▶이득: 2GHz ~ 18GHz의 일반적인 13dB ▶OIP3: 28dBm(일반적으로 2GHz ~ 18GHz) ▶OIP2: 48dBm(일반적으로 2GHz ~ 18GHz)
▶ 통합 RF 프론트 엔드 - LNA 및 고출력 실리콘 SPDT 스위치 - 온칩 바이어스 및 매칭 - 단일 공급 장치 작동 ▶ 이득: 3.6GHz에서 일반적으로 35.5dB ▶ 평탄도 향상: 400MHz 대역폭에서 25°C에서 1.5dB ▶ 저소음 수치: 3.6GHz에서 일반적으로 1.3dB ▶ 낮은 삽입 손실: 3.6GHz에서 일반적으로 0.8dB ▶ TCASE = 105°C에서의 고출력 처리 - Full lifetime - 단일 이벤트(<10초 작동) ▶ 높은 입력 IP3: -4dBm ▶ 공급 부족 전류 - 수신 작동: 5V에서 일반적으로 120mA - 전송 작동: 5V에서 일반적으로 15mA ▶ 양의 논리 컨트롤 ▶ 5mmx3mm,24-리드 LFCSP 패키지
▶ 내부 일치 및 AC 커플링 20W GaN 파워 앰프 ▶ 통합 온도 보상 RF 전력 감지기 ▶ PIN = 22dBm인 POUT: 43.5dBm(일반적으로 9.6GHz ~ 11GHz) ▶ 작은 신호 이득: 일반적으로 31dB(9.6GHz ~ 11GHz) ▶ PIN = 22dBm의 전력 이득: 8.2GHz ~ 11GHz의 일반적인 21.5dB ▶ PAE: 46% 일반적인 9.6GHz ~ 11GHz ▶ 공급 전압: 10% 듀티 사이클에서 200mA에서 28V ▶ 18단자 7mmx7mm,LCC_HS패키지
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