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DFE가 포함된 8T8R SoC, 400 MHz iBW RF 트랜시버

▶8개의 차동 송신기(Tx) ▶8대의 차동수신기(Rx) ▶2개의 차동 관측 수신기(ORx) ▶조정 가능 범위: 600MHz ~ 6000MHz ▶단일 대역 및 다중 대역(Nx 2T2R/4T4R) 기능 ▶조정 가능한 범위 내의 4개의 개별 대역 프로파일(대역 프로파일은 채널의 대역폭 및 총 샘플링 속도를 정의함) ▶ADRV9040BBPZ-WB supports DPD for 400 MHz iBW/OBW ▶시스템 열 솔루션 간소화 >활성화된 모든 블록에 대한 13W 전력 소비(사용 사례는 TDD 200 MHz 순간 대역폭 및 200 MHz 점유 대역폭이며 모든 블록(DPD, CFR 및 CDU/CDDC)이 활성화됨) >간헐적 작동의 경우 125°C 최대 접합 온도, 연속적 작동의 경우 110°C(가속도 계수를 기준으로 110°C 미만 작동으로 작동 수명 영향을 상쇄할 수 있음) ▶FPGA 리소스를 줄이고 SERDES 레인 레이트를 절반으로 줄이는 완전 통합 DFE(DPD, CDU, CDDC 및 CFR) 엔진 >전력 증폭기 선형화를 위한 DPD 적응 엔진 >CDU/CDDC?각 송신기/수신기 채널당 최대 8개의 CC(Component Carrier) ▶다단 CFR 엔진 ▶다운링크에서 DTX(마이크로 슬립) 절전 모드 지원 ▶JESD204B 및 JESD204C 디지털 인터페이스 지원 ▶모든 로컬 오실레이터(LO) 및 베이스밴드 클럭에 대한 멀티칩 위상 동기화 ▶이중 완전 통합 프랙셔널-NRF 신시사이저 ▶완전히 통합된 시계 신시사이저

40 A 소스 및 30 A 싱크, 슬루 레이트 컨트롤 및 BIST를 갖춘 SiC 절연 게이트 드라이버

▶40 A 소스, 30 A 싱크 피크 단락(일반적) 드라이브 출력 ▶20 일반적인 애플리케이션에서 최대 드라이브 전류(일반적) ▶채널당 출력 전원 장치 저항 0.38 ω(표준) ▶1500V 피크 및 DINEN IEC 60747-17까지의 DC 동작 전압 ▶SPI를 통한 슬루 레이트 컨트롤 ▶낮은 전파 지연(108ns 일반) ▶60ns 최소 펄스 폭 ▶양극성 및 단극성 2차 측 공급 기능 >VDD1: 4.4 V to 7 V >VDD2 to VSS2: 15 V to 23 V >VDD2 to GND2: 12 V to 23 V >VSS2 ~ GND2 : -5 V ~ -3.25 V (양극 공급 모드) >VSS2~GND2: 0V(단극 공급 모드) ▶보호 기능: ▶DESAT ? SiC 드레인 감지, 7V(표준) 임계값 >프로그래밍 가능 내부 DESAT 블랭크 시간 ▶ASC 핀, 보조 사이드 드라이버 켜기 컨트롤 ▶외부밀러클램프 ▶소프트 셧다운, 1μs 기능, 외부 저항으로 조정 가능 ▶VDD2에서 VSS2 OVP로, VDD2에서 VSS2 UVP로 프로그래밍 가능 ▶VSS2 to GND2 OVP and UVP ▶고장 보고 핀을 통한 절연된 고장 차별화 ▶SiC 스위치 절연 온도 감지 >1kHz PWM 및 SPI 레지스터 읽기 >온도 감지 다이오드 스택 >외부 저항 네트워크를 사용하여 NTC와 호환 가능 ▶BIST(Built-In Self Test) ▶SPI ▶구성 가능성을 위한 비휘발성 EEPROM 레지스터 ▶고장보고정보 ▶작동 접점 온도 범위: -40 ºC ~ +150 ºC ▶28-리드, SOIC_W_FP 패키지로 제공 ▶AEC-Q100은 자동차 용도에 적합합니다

256KB 플래시와 80KB SRAM을 지원하는 FPU 기반 마이크로컨트롤러(MCU)가 장착된 Arm Cortex-M4 프로세서

▶ 저전력, 고신뢰성 장치를 위한 고효율 마이크로컨트롤러 - 256KB 플래시 - 80KB SRAM, 최저 전력 백업 모드에서 선택적으로 보존 - 16KB 통합 캐시 - 메모리 보호 장치(MPU) - 이중 또는 단일 공급 장치 작동: 1.7V ~ 3.6v - 넓은 작동 온도: -40°C ~ +105°c ▶ 유연한 클럭 소스 - 내부 고속 100MHz - 내부 저전력 7.3728MHz - 초저전력 80kHz - 16MHz-32MHz(외부 크리스털 필요) - 32.768kHz(외부 수정 필요) - CPU 및 저전력 타이머를 위한 외부 클럭 입력 ▶ 배터리 애플리케이션의 가동 시간을 극대화하는 전원 관리 - ACTIVE 모드에서 0.9V에서 최대 12MHz(CoreMark®)에서 50μA/MHz - ACTIVE 모드에서 최대 100MHz까지 1.1V에서 44μA/MHz(단, (1)) - 2.15μA VDDIO에서 백업 모드로 전체 메모리 보존 전류 = 1.8v - VDDIO = 3.3에서 백업 모드의 2.4μA 전체 메모리 보존 전류v - 350nA 초저전력 RTC - 저전력 타이머에서 깨우기 ▶ 플랫폼 확장성을 제공하는 최적의 주변 장치 조합 - 최대 21개의 범용 I/O 핀 - 4채널, 12비트, 1Msps ADC - SPI 컨트롤러/대상 2개 - I2S 컨트롤러/대상 1개 - 2개의 4-와이어 UART - I2C 컨트롤러/대상 2개 - CAN 2.0B 컨트롤러 1개 - 4채널 표준 DMA 컨트롤러 - 32비트 타이머 3개 - 32비트 저전력 타이머 1개 - 감시 타이머 1개 - CMOS 레벨 32.768kHz 교정 출력 - AES-128/192/256 하드웨어 가속기