▶내부 정합, 0.3GHz ~ 6GHz, 39.5dBm, GaN 전력 증폭기 ▶RF 입력 및 RF 출력 AC 결합 ▶통합 드레인 바이어스 인덕터 ▶출력 전력: 일반적으로 0.5GHz ~ 5GHz (PIN = 16.0dBm) ▶전력 이득: 일반적으로 0.5GHz ~ 5GHz (PIN = 16.0dBm) ▶PAE: 0.5 GHz ~ 5 GHz의 40%(PIN = 16.0 dBm) ▶작은 신호 이득: 33.5dB(일반적으로 0.5GHz ~ 5GHz) ▶전원전압: 28V ▶대기 전류: 300mA
▶내부 일치 및 AC 결합, 40W, GaN 전력 증폭기 ▶통합 드레인 바이어스 인덕터 ▶POUT: 46.5 dBm typical from 2.0 GHz to 5.7 GHz (PIN = 21 dBm) ▶작은 신호 이득: 일반적으로 2.3 GHz ~ 5.7 GHz에서 40.5 dB ▶전력 이득: 25.5dB(일반적으로 2.0GHz ~ 5.7GHz)(PIN = 21dBm) ▶PAE: 2.3 GHz ~ 5.7 GHz의 39% 일반적인 값 ▶VDD = 28 V at IDQ = 750 mA ▶구리-몰리브덴 베이스의 14-리드 세라믹 리드 칩 캐리어 [LDCC]
▶ 내부 일치 및 AC 커플링 20W GaN 파워 앰프 ▶ 통합 온도 보상 RF 전력 감지기 ▶ PIN = 22dBm인 POUT: 43.5dBm(일반적으로 9.6GHz ~ 11GHz) ▶ 작은 신호 이득: 일반적으로 31dB(9.6GHz ~ 11GHz) ▶ PIN = 22dBm의 전력 이득: 8.2GHz ~ 11GHz의 일반적인 21.5dB ▶ PAE: 46% 일반적인 9.6GHz ~ 11GHz ▶ 공급 전압: 10% 듀티 사이클에서 200mA에서 28V ▶ 18단자 7mmx7mm,LCC_HS패키지
▶ PIN = 19dBm: 46dBm의 출력 전력 ▶ 작은 신호 게인: 0.9GHz ~ 1.4GHz에서 일반적인 34.5dB ▶ PIN = 19dBm: 27dB의 일반적인 전력 소비량 ▶ 대역폭: 0.9GHz ~ 1.6GHz ▶ PIN이있는 PAE = 19dBm : 0.9GHz ~ 1.4GHz에서 일반 60 % ▶ 공급 전압: 10% 듀티 사이클에서 400mA에서 VDD = 50V ▶ 32-리드, 5mm × 5mm, LFSCP_CAV 패키지
▶포화 RF 출력 전력 (POUT) : 45dBm ▶작은 신호 이득 : 21dB ▶18 리드 , 완전 밀폐형 모듈 ▶?30°C ~ +60°C 동작 온도
▶높은 PSAT : 46dBm ▶높은 전력 이득 : 20dB ▶높은 PAE : 38% ▶공급 전압 : VDD = 1,300mA 에서 50V
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