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신규제품 [ 25 건 ]

3.0kV rms 6채널 디지털 아이솔레이터

▶높은 공통 모드 일시적 면역: 180kV/μs 일반 ▶방사 및 전도성 노이즈에 대한 높은 견고성 ▶낮은 전파 지연 >5V 작동 시 표준 6.2ns(최대 10ns) ▶낮은 동적 전력 소비, 1Mbps에서 1.65mA/ch 미만 ▶2.25V에서 5.5V 레벨로의 변환 ▶5V 작동 시 최대 보장 데이터 전송률 150Mbps ▶고온 작동: 125°C ▶안전 및 규제 승인 ▶RQ-16 [QSOP] package >UL 1577(pending) >>1분간 VISO = 3000 VRMS >EN IEC 60747-17(pending) >>VIORM = 636 VPEAK >>VIOSM = 10,000 VPEK(reinforced) >IEC/EN/CSA 62368-1 (pending) >IEC/CSA 60601-1(pending) >IEC/CSA 61010-1(pending) >CQC GB 4943.1 (pending) ▶격리 장벽을 가로지르는 ±8kV IEC 61000-4-2 ESD 보호 ▶입/출력 핀의 ±4kV HBM ESD 보호 ▶페일 세이프 높음(N1) 또는 낮음(N0) 옵션 ▶16 리드, RoHS 규정 준수, QSOP 패키지

쿼드 산업 싱크/소스 디지털 입력

▶소프트웨어 구성 가능 >싱크 또는 소스로 개별적으로 구성할 수 있는 4가지 입력 >Type 1/3, Type 2, TTL 및 Hi-Z(HTL) 모드 >0.5mA ~ 6.75mA 범위의 광저항-설정 가능한 정확한 입력 전류 >프로그래밍 가능한 글리치 필터 >광범위한 진단(공급 전압 모니터링, 온도 경보, PCB 고장 경보, 열 차단) >격리 채널을 줄이기 위한 주소 지정 가능 또는 데이지 체인 SPI ▶견고한 솔루션 >IEC 61000-4-2 ESD 공극 ±15kV 및 접촉 ±8kV(현장 입력 시 최소 680 ω 펄스 저항 포함) >현장 입력에서 최소 680 ω 펄스 저항을 갖는 IEC 61000-4-5 서지 ±1.2kV/42 ω >SPI의 CRC 오류 감지 >-40°C ~ +125°C 작동 온도 ▶저전력 소산 >8V에서 36V까지 Field Supply로 작동합니다 >저공급 전류 최대 2mA ▶콤팩트 솔루션 >통합 5V, 20mA 선형 레귤레이터 >2.5V ~ 5.5V 로직 인터페이스 >LED 드라이버 매트릭스 또는 GPO 출력 >5mm x 5mm 32-Pin TQFN Package

강화된 초저전력, 4채널 디지털 아이솔레이터

▶초저전력 소비 ▶VDD = 3.3V인 DC에서 채널당 9.6μA ▶VDD = 3.3V인 경우 100kbps에서 채널당 13.2μA ▶VDD = 3.3V의 경우 1Mbps에서 채널당 47.6μA ▶1.71V ~ 5.5V의 넓은 작동 전압 범위 ▶디지털 신호의 갈바닉 격리 강화 ▶1.2μs/50μs 파형으로 GNDA와 GNDB 사이의 ±10kV 서지를 견딜 수 있습니다 ▶높은 CMTI(200kV/μs, min) ▶16 QSOP 패키지의 MAX22440-MAX22442: ▶3,000VRMS 60초 격리 전압(VISO) ▶445VRMS 연속 작동 전압(VIOWM) ▶16 Wide SOIC 패키지의 MAX22840-MAX22842: ▶5,000VRMS 60초 격리 전압(VISO) ▶848VRMS 연속 작동 전압(VIOWM) ▶20 SSOP 패키지의 MAX22880-MAX22882: ▶3750VRMS 60초 격리 전압(VISO) ▶784VRMS 연속 작동 전압(VIOWM) ▶안전 규정 승인 ▶UL 1557에 따른 UL (Pending) ▶VDE 0884-11 강화단열(보류) ▶CSA IEC 62368-1, IEC 6610-1 (보류 중) ▶낮은 전파 지연 및 낮은 지터 ▶최대 10Mbps의 최대 데이터 전송 속도 ▶VDD = 3.3V에서 43.8ns(타입)의 전파 지연 ▶클럭 지터 RMS 35.0ps(타입)

단방향 SCL, 확장 VDD, 유휴 버스 핫 스왑 및 낮은 VOL을 포함하는 초저전력, I2C 아이솔레이터

▶Low VOL(MAX)로 높은 I2C 장치 호환성 >Side 1: 0.69V >Side 2: 0.4V ▶배터리 수명 연장을 위한 초저전력 소비 >400kHz에서 채널당 142μA(타입) ▶넓은 독립 VDD1/VDD2 공급 범위로 더 많은 논리 전압 레벨을 지원하며 레벨 이동이 가능합니다 >양측 1.71V ~ 5.5V ▶핫 스왑 가능한 Side 2 I/O로 데이터 손상 방지 >버스 유휴 상태 또는 정지 상태에서 초기 측면 2 연결 발생 ▶양방향 I2C 데이터 전송(최대 2MHz SCL) ▶강한 전류 싱킹으로 더 빠른 버스 속도를 위한 더 낮은 RPULL-UP 값을 가능하게 합니다 >Side 1: 5mA >Side 2: 50mA ▶디지털 신호의 강력한 갈바닉 절연 >연속 대기(VIOWM) >>8-Narrow SOIC: 445VRMS >IEC 61000-4-5당 ±10kV 서지 견딤 >크리페이지 및 클리어런스가 포함된 패키지 >>8-Narrow SOIC: 4mm ▶안전 및 규제 승인(Pending) >IEC60747-17 (Pending) >>강화 VIORM 협폭 SOIC: 630V PEAK ▶UL 1577 (Pending) >8-좁은 SOIC: 1분간 3000VRMS ▶IEC/EN/CSA 62368-1 (Pending) ▶IEC/EN/CSA 6110-1 (Pending) ▶CAN/CSA-C22.2 No. 14-18 (Pending)

40 A 소스 및 30 A 싱크, 슬루 레이트 컨트롤 및 BIST를 갖춘 SiC 절연 게이트 드라이버

▶40 A 소스, 30 A 싱크 피크 단락(일반적) 드라이브 출력 ▶20 일반적인 애플리케이션에서 최대 드라이브 전류(일반적) ▶채널당 출력 전원 장치 저항 0.38 ω(표준) ▶1500V 피크 및 DINEN IEC 60747-17까지의 DC 동작 전압 ▶SPI를 통한 슬루 레이트 컨트롤 ▶낮은 전파 지연(108ns 일반) ▶60ns 최소 펄스 폭 ▶양극성 및 단극성 2차 측 공급 기능 >VDD1: 4.4 V to 7 V >VDD2 to VSS2: 15 V to 23 V >VDD2 to GND2: 12 V to 23 V >VSS2 ~ GND2 : -5 V ~ -3.25 V (양극 공급 모드) >VSS2~GND2: 0V(단극 공급 모드) ▶보호 기능: ▶DESAT ? SiC 드레인 감지, 7V(표준) 임계값 >프로그래밍 가능 내부 DESAT 블랭크 시간 ▶ASC 핀, 보조 사이드 드라이버 켜기 컨트롤 ▶외부밀러클램프 ▶소프트 셧다운, 1μs 기능, 외부 저항으로 조정 가능 ▶VDD2에서 VSS2 OVP로, VDD2에서 VSS2 UVP로 프로그래밍 가능 ▶VSS2 to GND2 OVP and UVP ▶고장 보고 핀을 통한 절연된 고장 차별화 ▶SiC 스위치 절연 온도 감지 >1kHz PWM 및 SPI 레지스터 읽기 >온도 감지 다이오드 스택 >외부 저항 네트워크를 사용하여 NTC와 호환 가능 ▶BIST(Built-In Self Test) ▶SPI ▶구성 가능성을 위한 비휘발성 EEPROM 레지스터 ▶고장보고정보 ▶작동 접점 온도 범위: -40 ºC ~ +150 ºC ▶28-리드, SOIC_W_FP 패키지로 제공 ▶AEC-Q100은 자동차 용도에 적합합니다

5.7kV rms/1.5kV rms, 쿼드 채널 LVDS 2.5기가비트 아이솔레이터(역방향 채널 2개)

▶ 5.7kV rms 및 1.5kV rms LVDS 아이솔레이터 ▶ TIA/EIA-644-A LVDS 신호 레벨 준수 ▶ 쿼드 채널 구성(ADN4622: 2 + 2, ADN4624: 4 + 0) ▶ 낮은 지터로 최대 2.5Gbps 스위칭의 모든 데이터 속도 - 4개 채널에서 총 대역폭 10Gbps - 2.15ns 일반 전파 지연 - 일반 지터: 0.82ps rms 랜덤, 40ps 총 피크 ▶ 저전력 1.8V 공급 장치 ▶ 절연 장벽 전체에서 ±8kV IEC 61000-4-2 ESD 보호 ▶ 높은 공통 모드 과도 내성: 통상 100kV/μs